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眾專家學者探討氮化鎵射頻電子
器件
與應用的進展與趨勢 |IFWS&SSLCHINA2024
評論 ?
2024-11-28 15:21
康美特龐凱敏:高可靠性碳化硅IGBT
器件
封裝材料 | IFWS&SSLCHINA2024
評論 ?
2024-11-28 14:15
博睿光電梁超:功率
器件
封裝用高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化技術 | IFWS&SSLCHINA2024
評論 ?
2024-11-28 14:02
北京大學沈波教授:基于大失配外延的氮化物第三代半導體材料與
器件
——IFWS&SSLCHINA2024
評論 ?
2024-11-25 14:32
擬投資14億!佳麗美半導體電子分立
器件
制造總部項目簽約落戶丹灶
評論 ?
2024-11-25 11:30
第十七屆誠邀提名 | “2024年度華強電子網優(yōu)質供應商&電子元
器件
行業(yè)優(yōu)秀國產品牌評選”重磅開啟!
評論 ?
2024-11-25 09:22
國宇電子功率
器件
項目簽約揚州
評論 ?
2024-11-14 17:41
國家5G中高頻
器件
創(chuàng)新中心邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024
評論 ?
2024-11-13 15:47
湖南三安半導體申請功率
器件
專利,可提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力
評論 ?
2024-11-12 16:26
昕感科技申請一種終端復合結構及高壓 SIC
器件
專利,提升終端效率并提高工藝容錯率
評論 ?
2024-11-12 16:14
北京量子院徐洪起團隊在半導體耦合多量子點
器件
研究中取得進展
評論 ?
2024-11-12 16:08
氮化鎵功率電子
器件
技術分會日程出爐|IFWS 2024前瞻
評論 ?
2024-11-09 17:17
聯合微電子中心取得一種半導體
器件
專利,提升半導體
器件
性能
評論 ?
2024-11-09 11:58
芯導電子“一種靜電防護結構及制備方法、半導體
器件
及制備方法”專利公布
評論 ?
2024-11-08 16:26
聞泰科技半導體業(yè)務與KOSTAL就先進車規(guī)級寬禁帶
器件
達成戰(zhàn)略合作
評論 ?
2024-11-07 18:55
【IFWS2024】碳化硅功率
器件
及其封裝技術分會日程出爐
評論 ?
2024-11-07 10:01
南京南瑞半導體申請溝槽型SiC
器件
及其制備方法專利,可防止
器件
過早擊穿燒毀
評論 ?
2024-11-04 16:31
安徽長飛先進半導體申請半導體
器件
相關專利,使半導體
器件
獲得更好的散熱結構以及更低的電阻率
評論 ?
2024-11-04 15:27
飛锃半導體申請半導體結構及其形成方法專利,提高
器件
性能和可靠性
評論 ?
2024-11-04 15:24
士蘭微“MEMS
器件
及其制造方法”專利獲授權
評論 ?
2024-11-04 09:38
富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率
器件
驗證
評論 ?
2024-10-30 20:06
IFWS2024:氮化鎵射頻電子
器件
與應用分會日程出爐
評論 ?
2024-10-30 09:55
合肥晶合集成電路申請一種半導體
器件
的制作方法專利,能夠提高半導體
器件
的性能
評論 ?
2024-10-29 18:00
無錫博通申請半橋GaN增強型開關
器件
及其制備方法專利,保證
器件
的高速開關
評論 ?
2024-10-29 17:53
氮化鎵射頻電子
器件
與應用分會日程出爐 | IFWS2024 前瞻
評論 ?
2024-10-29 14:32
一文解開遠山氮化鎵功率
器件
實現耐高壓的秘密
評論 ?
2024-10-28 10:25
富特科技:已實現SiC半導體
器件
在產品中的量產應用,且應用技術已相對成熟
評論 ?
2024-10-24 09:24
華潤微“一種LIGBT
器件
及其制備方法”專利公布
評論 ?
2024-10-24 09:13
士蘭集宏8英寸碳化硅功率
器件
芯片制造生產線項目預計2025年試生產
評論 ?
2024-10-21 16:54
遠山半導體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率
器件
評論 ?
2024-10-20 18:47
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