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投資近20億元，兩碳化硅外延項(xiàng)目環(huán)評(píng)公示

上海合晶：將積極探索及開發(fā)CIS等模擬器件使用12英寸外延片產(chǎn)品

賽達(dá)半導(dǎo)體年產(chǎn)30萬片碳化硅外延項(xiàng)目環(huán)評(píng)公示

普興電子：年產(chǎn)24萬片SiC外延項(xiàng)目環(huán)評(píng)公示

第三代半導(dǎo)體外延材料的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用之路

晶旭半導(dǎo)體獲戰(zhàn)略投資協(xié)議，計(jì)劃實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)75萬片ε相氧化鎵外延片（壓電領(lǐng)域用）

瀚天天成上交所科創(chuàng)板IPO已問詢為全球領(lǐng)先的寬禁帶半導(dǎo)體外延晶片供應(yīng)商

上海合晶募資超15億元投資優(yōu)質(zhì)外延片研發(fā)項(xiàng)目

半導(dǎo)體硅外延片一體化制造商上海合晶啟動(dòng)科創(chuàng)板IPO

廈門市翔安區(qū)-6-8英寸SiC外延晶片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目可行性研究報(bào)告

中國電科第四十八研究所40臺(tái)SiC外延設(shè)備成功Move in

香港中文大學(xué)（深圳）冀東：GaN同質(zhì)外延中的雪崩特性

國產(chǎn)碳化硅外延設(shè)備供應(yīng)商納設(shè)智能開啟上市輔導(dǎo)

第四代半導(dǎo)體迎來新進(jìn)展相關(guān)A股公司搶抓“新風(fēng)口”

中山大學(xué)物理學(xué)院氫化物氣相外延沉積系統(tǒng)采購項(xiàng)目公開招標(biāo)公告

重大突破！第三代半導(dǎo)體在寧加速布局

南京大學(xué)莊喆：基于外延層殘余應(yīng)變調(diào)控的InGaN基紅光LED器件

IFWS 2023│200 mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長

電科材料下屬國盛公司第一枚碳化硅外延片正式下線

IFWS 2023│中國科學(xué)院半導(dǎo)體所閆果果：6英寸碳化硅外延生長及深能級(jí)缺陷研究

IFWS 2023│清軟微視周繼樂：化合物半導(dǎo)體襯底和外延缺陷無損檢測(cè)技術(shù)

IFWS 2023│氮化物襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)召開

IFWS 2023前瞻│碳化硅襯底、外延材料生長與加工分會(huì)日程出爐

IFWS 2023前瞻│氮化物襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)日程出爐

中電科南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地投產(chǎn)運(yùn)行，一期投資19.3億元

性能位居前列！芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的 850V大功率氮化鎵外延產(chǎn)品

中電化合物8英寸SiC外延片首批產(chǎn)品交付

中電化合物完成客戶首批次8英寸SiC外延片產(chǎn)品交付

泰高技術(shù)與鎵宏半導(dǎo)體一同致力于氮化鎵外延片領(lǐng)域的全面戰(zhàn)略推進(jìn)

蔚來增持晶湛半導(dǎo)體，或加碼氮化鎵外延技術(shù)應(yīng)用上車

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