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突破！一次擴(kuò)徑技術(shù)，碳化硅襯底從6英寸直接擴(kuò)到8英寸！

突破8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)關(guān)鍵難題，與國際差距在2~3年之內(nèi)！

長電科技：實(shí)現(xiàn)4nm芯片封裝先進(jìn)封裝技術(shù)方面再度實(shí)現(xiàn)突破

至芯半導(dǎo)體在日盲深紫外器件方面獲重大突破，單顆芯片發(fā)射功率創(chuàng)紀(jì)錄達(dá)到210mW

科友半導(dǎo)體應(yīng)用電阻長晶爐突破高速率高品質(zhì)SiC晶體生長的關(guān)鍵技術(shù)

美國芯片為何如今求著賣？因?yàn)橹袊酒诳焖?span id="nts0oid" class="highlight">突破

業(yè)內(nèi)領(lǐng)先！科友半導(dǎo)體6英寸SiC晶體厚度突破32mm

全面自主研發(fā)和量產(chǎn)！中機(jī)新材在精密研磨拋材料研制方面獲多項(xiàng)技術(shù)突破

中科潞安大功率深紫外芯片產(chǎn)品獲突破性進(jìn)展，光功率輸出在120mW以上

AMB氮化硅覆銅陶瓷基板獲突破，填補(bǔ)我國功率半導(dǎo)體行業(yè)空白！

國產(chǎn)芯片持續(xù)突破，美芯已難有活路，無奈為華為定制芯片

重磅！3.5億個(gè)晶體管，國內(nèi)集成電路領(lǐng)域再突破

華潤微：在第三代半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得產(chǎn)業(yè)化顯著突破

中國研發(fā)再突破！15億美元的氧化鎵市場如何引發(fā)多國博弈？

河北工匠楊昆：第三代半導(dǎo)體材料關(guān)鍵技術(shù)突破者

重磅發(fā)布 | 新一代SiC晶體生長爐，突破行業(yè)核心需求

三安光電2021年?duì)I收首破百億，三安集成業(yè)務(wù)取得重大突破！

勁拓股份2021年?duì)I收9.89億元半導(dǎo)體硅片制造設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破

中國信通院：2022年一季度新能源汽車行業(yè)運(yùn)行監(jiān)測我國新能源汽車產(chǎn)銷突破百萬輛

核心部件全部國產(chǎn)！季華實(shí)驗(yàn)室自主研發(fā)6英寸SiC高溫外延裝備獲突破性進(jìn)展

西電學(xué)子在ISPD國際集成電路物理設(shè)計(jì)競賽首次獲得冠軍實(shí)現(xiàn)了新突破

超寬禁帶半導(dǎo)體：金剛石尚處研發(fā)待突破階段，不宜過度炒作！

銷量大增！比亞迪2021年?duì)I收突破2000億，研發(fā)投入重點(diǎn)是刀片電池

山西：2022年底，新材料產(chǎn)業(yè)工業(yè)總產(chǎn)值達(dá)到或突破2000億元

2021年中國集成電路銷售額突破萬億元，進(jìn)口量創(chuàng)新紀(jì)錄

清華大學(xué)集成電路學(xué)院任天令教授團(tuán)隊(duì)在小尺寸晶體管研究方面取得重大突破

兩會(huì)｜全國政協(xié)委員鄧中翰：發(fā)揮新型舉國體制優(yōu)勢推動(dòng)集成電路技術(shù)和產(chǎn)業(yè)突破性發(fā)展

中晟光電深紫外 MOCVD 設(shè)備獲重大技術(shù)突破

碳化硅技術(shù)再突破爍科晶體、晶盛機(jī)電、露笑科技迎新進(jìn)展

氧化鎵功率半導(dǎo)體6英寸新突破，成本有望大降

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