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SiC器件如何增加功率電路的安培容量

SiC基GaN射頻器件：國防航天航空之利器

羅姆阿波羅筑后工廠的環(huán)保型新廠房竣工，為SiC功率元器件生產(chǎn)增能！

第三代半導(dǎo)體的藍海市場，玩家?guī)缀危?/a>

三安光電：第三代半導(dǎo)體廣泛布局，有望長期受益功率器件藍海市場

惠科6英寸晶圓半導(dǎo)體項目正式量產(chǎn) 打造國內(nèi)最大半導(dǎo)體功率器件生產(chǎn)基地

聞泰投資了這家SiC功率器件公司，Get SiC 入場券

半導(dǎo)體器件為什么需要“外延層”

全球6家半導(dǎo)體公司增資280億元擴產(chǎn)車載功率器件

澳大利亞格里菲斯大學(xué)Jisheng HAN：4H-SiC MOS器件中活性缺陷的量化表征

深圳第三代半導(dǎo)體研究院楊安麗：抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的“復(fù)合提高層”設(shè)計

華北電力大學(xué)李學(xué)寶：高壓SiC器件中的封裝絕緣問題研究

浙江大學(xué)任娜：SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性問題的研究

廈門大學(xué)邱宇峰教授：碳化硅功率半導(dǎo)體器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用

中國空間技術(shù)研究院北京衛(wèi)星制造廠鄭巖：寬禁帶功率器件的宇航應(yīng)用技術(shù)

中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所周宇：硅基GaN增強型HEMT電力電子器件

南方科技大學(xué)于洪宇：Si基GaN功率器件及其上電源系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)研究進展

Cree與Tek將于12月23日聯(lián)合直播，寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件發(fā)展及在OBC應(yīng)用

中國電科十三所王元剛：高性能Ga2O3，SBD功率器件研究

?東芝和富士電機將投資20億美元發(fā)展功率器件

南方科技大學(xué)汪青：Si基GaN射頻器件的關(guān)鍵技術(shù)研究進展

荷蘭Ampleon Netherlands B.V.陳松：研發(fā)轉(zhuǎn)量產(chǎn)，射頻功率器件量產(chǎn)階段零失效目標下的挑戰(zhàn)和實踐

Transphorm新型Gen V氮化鎵功率器件瞄準電動汽車市場

復(fù)旦大學(xué)田朋飛：基于GaN的可用于固態(tài)照明、顯示和雙向可見光通信的多功能器件

深圳大學(xué)劉新科：大面積MoS2-on-GaN范德華異質(zhì)結(jié)的光子器件應(yīng)用

廈門三安光電張中英:UVB & UVC AlGaN基深紫外LED器件的最新進展

蘇州量芯微半導(dǎo)體傅玥：氮化鎵功率器件，應(yīng)用起航

深圳市禾望電氣張孟杰:SiC器件在新能源變換器中的應(yīng)用

許繼電氣陳天錦：碳化硅器件在高性能充電系統(tǒng)中的應(yīng)用

山大華天科技遲恩先：SiC器件在有源電力濾波器中的應(yīng)用

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