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ASML CEO專(zhuān)訪(fǎng)：中國(guó)芯片制造技術(shù)落后西方10-15年!

無(wú)錫錕芯半導(dǎo)體取得一種IGBT的驅(qū)動(dòng)裝置專(zhuān)利，實(shí)現(xiàn)IGBT本體的快速裝拆

美商務(wù)部長(zhǎng)雷蒙多：對(duì)華芯片管制是白費(fèi)工夫

長(zhǎng)光華芯“一種釋放氧化應(yīng)力的VCSEL芯片及其制備方法”專(zhuān)利獲授權(quán)

又見(jiàn)跨界收購(gòu)！“一代鞋王”擬入局存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域

三星電子獲美47.45億美元芯片補(bǔ)貼

吉盛微完成A輪數(shù)億元，深創(chuàng)投、中芯聚源等投資

2024年中國(guó)半導(dǎo)體并購(gòu)31件模擬芯片和材料成熱點(diǎn)

現(xiàn)代汽車(chē)解散半導(dǎo)體戰(zhàn)略部門(mén)，原計(jì)劃自研5nm芯片

從0到1，海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片項(xiàng)目成功通線(xiàn)

總投資7.5億元，星曜半導(dǎo)體5G射頻濾波器芯片晶圓產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目投產(chǎn)

SIA發(fā)布關(guān)于拜登政府對(duì)中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)啟動(dòng)301條款調(diào)查的聲明

EDA工具供應(yīng)商華芯盛完成數(shù)千萬(wàn)元戰(zhàn)略投資

商務(wù)部新聞發(fā)言人就美對(duì)中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策發(fā)起301調(diào)查發(fā)表談話(huà)

突發(fā)！拜登政府對(duì)中國(guó)成熟制程芯片發(fā)起301 調(diào)查

5億！這一激光項(xiàng)目年產(chǎn)1億顆激光芯片

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長(zhǎng)加熱爐專(zhuān)利，解決氮化鎵采取和附著問(wèn)題，提高產(chǎn)量

浙之芯申請(qǐng)一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專(zhuān)利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

美國(guó)商務(wù)部批準(zhǔn)SK海力士提供4.58億美元《芯片法案》補(bǔ)貼

用AI鏈接芯世界，此芯科技2024生態(tài)大會(huì)完美收官

環(huán)球晶圓獲芯片法案4.06億美元補(bǔ)貼，將建設(shè)美國(guó)首座大批量300毫米硅晶圓工廠(chǎng)

突發(fā)！拜登政府要對(duì)中國(guó)成熟芯片下手！

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請(qǐng)一種功率開(kāi)關(guān)器件專(zhuān)利，提高了器件的功率密度

博世獲16億元補(bǔ)貼，將投138億元發(fā)力8英寸SiC芯片！

華虹半導(dǎo)體申請(qǐng)集成半導(dǎo)體器件及其制備方法專(zhuān)利，提高芯片整體抗EMI能力

投資20億！路芯半導(dǎo)體掩膜版生產(chǎn)項(xiàng)目首批工藝設(shè)備機(jī)臺(tái)入廠(chǎng)

金信新材料芯片用8英寸碳化硅晶錠項(xiàng)目完成研發(fā)

金信新材料芯片用第三代半導(dǎo)體8英寸碳化硅晶錠項(xiàng)目新進(jìn)展

英偉達(dá)、臺(tái)積電、海力士、博通、阿斯麥、中芯國(guó)際等45家半導(dǎo)體企業(yè)2024年第三季度財(cái)報(bào)匯總

路芯半導(dǎo)體掩膜版生產(chǎn)項(xiàng)目首批工藝設(shè)備機(jī)臺(tái)成功搬入

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