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聞泰科技：加強(qiáng)在中高壓Mosfet、化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品SiC和GaN產(chǎn)品、以及模擬類產(chǎn)品的研發(fā)投入

【CASICON 2021】美國弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊：超過SiC限制的 1.2-10 kV GaN功率器件

【CASICON 2021】第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山：中國功率與射頻技術(shù)市場現(xiàn)狀及未來展望

【CASICON 2021】啟迪半導(dǎo)體鈕應(yīng)喜：碳化硅外延裝備及技術(shù)進(jìn)展

【CASICON 2021】中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世兵：低成本高性能氧化鎵功率器件

【CASICON 2021】東南大學(xué)教授劉斯揚(yáng)：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展

【CASICON 2021】Crosslight創(chuàng)始人李湛明：將GaN功率器件推向極限——材料和TCAD視角

【CASICON 2021】云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家惠峰：VCSEL用六英寸超低位錯(cuò)密度砷化鎵單晶片研制及應(yīng)用

【CASICON 2021】湖南國芯半導(dǎo)體科技戴小平：SiC模塊封裝技術(shù)探討

【CASICON 2021】中國電科首席科學(xué)家陳堂勝：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件

【CASICON 2021】南京工業(yè)職業(yè)技術(shù)大學(xué)雷建明：GaN功率開關(guān)器件及其高頻電源應(yīng)用

CASICON 2021前瞻：6 inch GaAs 基 VCSEL 和射頻外延技術(shù)

CASICON 2021前瞻：碳化硅MOSFET技術(shù)問題及55所產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展

CASICON 2021前瞻：1kV寬禁帶LLC變換器控制與應(yīng)用

CASICON 2021前瞻：碳化硅與金剛石單晶襯底技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化研究

CASICON 2021前瞻：金剛石微波功率器件研究

CASICON 2021前瞻：碳化硅外延裝備及技術(shù)進(jìn)展

CASICON 2021前瞻：VCSEL用六英寸超低位錯(cuò)密度砷化鎵單晶片研制及應(yīng)用

CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)

CASICON 2021前瞻：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展

舍弗勒新型800V電控采用SiC技術(shù)

國產(chǎn)SiC & GaN功率器件已達(dá)國際一流水平，組建歐洲銷售團(tuán)隊(duì)“出海"

CASICON 2021前瞻：低成本高性能氧化鎵半導(dǎo)體功率電子器件

CASICON 2021前瞻：SiC模塊封裝技術(shù)探討

CASICON 2021前瞻：將GaN功率器件推向極限——材料和TCAD視角

CASICON 2021前瞻：氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究

全球首批使用SiC芯片汽車特斯拉Model 3誕生

半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料碳化硅（SiC）納入工業(yè)技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展五年計(jì)劃

SiC企業(yè)世紀(jì)金光獲2.57億元融資

10萬片SiC項(xiàng)目投產(chǎn)，60萬片項(xiàng)目在路上，同光晶體擬科創(chuàng)板上市

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