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中科院化學所在印刷制備單一取向有機半導(dǎo)體單晶陣列方面取得進展

云南鍺業(yè)：以大直徑低位錯密度鍺、砷化鎵、磷化銦、碳化硅單晶材料制備及其應(yīng)用為重點研究方向

眾合科技：海納山西單晶基地如完全達產(chǎn)，預(yù)計產(chǎn)能是目前三倍

豐田合成成功量產(chǎn)6英寸氮化鎵單晶襯底

溫州宏豐發(fā)行3.21億元可轉(zhuǎn)債，用于碳化硅單晶研發(fā)項目等

10億元雅安半導(dǎo)體單晶材料擴能項目主體封頂，預(yù)計5月投產(chǎn)

最新透露 | 天岳先進：公司具備設(shè)計不同尺寸碳化硅單晶生長爐能力

天岳先進：公司具備設(shè)計不同尺寸碳化硅單晶生長爐能力

云南鍺業(yè)：目前公司碳化硅項目、探測器級鍺單晶項目處于研發(fā)階段，研發(fā)能否成功具有不確定性

總投資約60億！宇澤半導(dǎo)體與曲靖簽署20GW單晶拉棒切片項目

高溫溶液法生長SiC單晶的研究進展

晶體材料實驗室陶緒堂教授團隊在鹵化物鈣鈦礦單晶生長及應(yīng)用方面取得系列新成果

承禹半導(dǎo)體全單晶圓片關(guān)鍵指標國內(nèi)領(lǐng)先，已獲訂單

北京大學物理學院教授于彤軍：大尺寸AlN單晶的同質(zhì)PVT生長研究

奧趨光電王琦琨博士：PVT法生長高質(zhì)量大尺寸AlN單晶的最新進展與挑戰(zhàn)

西安交通大學王艷豐：大面積單晶金剛石及場效應(yīng)晶體管的研究

哈爾濱工業(yè)大學趙麗麗：低成本碳化硅單晶材料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究

大直徑SiC單晶材料的應(yīng)用及前景分析

深圳大學劉新科：基于氮化鎵單晶襯底的半導(dǎo)體器件

擬斥資不低于7億元，揚杰科技投建半導(dǎo)體單晶材料擴能項目

年產(chǎn)值超21億天科合達擬建碳化硅單晶和外延片生產(chǎn)線

【CASICON 2021】南砂晶圓彭燕：碳化硅與金剛石單晶襯底技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化研究

【CASICON 2021】云南鍺業(yè)公司首席科學家惠峰：VCSEL用六英寸超低位錯密度砷化鎵單晶片研制及應(yīng)用

CASICON 2021前瞻：碳化硅與金剛石單晶襯底技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化研究

CASICON 2021前瞻：VCSEL用六英寸超低位錯密度砷化鎵單晶片研制及應(yīng)用

河北最大第3代半導(dǎo)體碳化硅單晶襯底項目在淶源投產(chǎn)

河北同光科技年產(chǎn)10萬片碳化硅單晶襯底項目投產(chǎn)

晶盛機電：獲60.83億元單晶爐訂單向下游CVD設(shè)備啟航

浙大杭州科創(chuàng)中心獲得首批氧化鎵單晶襯底

半絕緣碳化硅單晶襯底的研究進展

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