亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<input id="qmuqf"></input>

<u id="qmuqf"></u>

<noscript id="qmuqf"></noscript>

<u id="qmuqf"></u>

<u id="qmuqf"><li id="qmuqf"><table id="qmuqf"></table></li></u>

<u id="qmuqf"></u>

<samp id="qykk8"></samp>

<strike id="qykk8"></strike>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

廣州華瑞升陽申請寬禁帶半導(dǎo)體器件專利，降低寬禁帶半導(dǎo)體器件導(dǎo)通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風(fēng)險(xiǎn)

捷捷微電取得降低開關(guān)損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法專利，降低了開關(guān)損耗

北京大學(xué)申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

北京大學(xué)申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)魏杰：高速低損耗SOI LIGBT新結(jié)構(gòu)與機(jī)理研究

CSPSD 2024成都前瞻 |松山湖材料實(shí)驗(yàn)室王方洲：低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究

華為公司申請半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，降低半導(dǎo)體器件的功率損耗

通用電氣申請超結(jié)功率半導(dǎo)體裝置專利，減少切換損耗

嘉善復(fù)旦研究院與復(fù)旦大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)在低傳導(dǎo)損耗功率器件方面取得重大進(jìn)展

【國際論文】具有集成鰭型二極管的低反向?qū)?span id="mq8gumg" class="highlight">損耗氧化鎵縱向FinFET

具有集成鰭型二極管的低反向?qū)?span id="skqgkcs" class="highlight">損耗氧化鎵縱向FinFET

東芝、電裝等力爭2030年前實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體電力損耗減半

東芝、電裝等開發(fā)功率半導(dǎo)體節(jié)能技術(shù)，力爭2030年前實(shí)現(xiàn)電力損耗減半

日本東芝開發(fā)的功率半導(dǎo)體，最大可降低40.5%的功率損耗

降損耗，高可靠！東南大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)氮化鎵項(xiàng)目再獲突破

如何減少SiC MOSFET的EMI和開關(guān)損耗

技術(shù) | 20 VIN、8 A高效率微型封裝降壓型μModule器件

減少開關(guān)損耗：儒卓力提供來自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

提高功率密度的利弊權(quán)衡及所需技術(shù)

GaN器件的直接驅(qū)動配置

GaN 將能源效率推升至新高度

東芝推出600V小型智能功率器件，助力降低電機(jī)功率損耗

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<strike id="sc20m"><nav id="sc20m"></nav></strike><blockquote id="sc20m"></blockquote>