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科技部：集中突破5G及集成電路，支持西部優(yōu)質(zhì)企業(yè)通過新三板/科創(chuàng)板上市融資

江西：力爭2025年集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模突破500億元

廈門大學(xué)聯(lián)合三安光電技術(shù)攻關(guān)，超8瓦大功率InGaN藍(lán)光激光器取得突破性成果

重大突破！科學(xué)家發(fā)現(xiàn)“拱形”納米硅陽極可大大提高鋰離子電池容量

Intel傲騰有對手了 SK海力士在相變存儲(chǔ)芯片上獲得突破

江蘇兩會(huì)展望“十四五”部署2021：聚焦集成電路等先進(jìn)制造業(yè)集群，加快突破關(guān)鍵核心技術(shù)

氮化鎵和碳化硅功率半導(dǎo)體市場將在2029年突破50億美元大關(guān)

13nm！中國量子芯片再突破，美國院士：中國科學(xué)家是超人嗎？

我國在氮化鎵界面態(tài)研究方面取得重大突破

常州：在第三代半導(dǎo)體等重點(diǎn)領(lǐng)域突破一批“卡脖子”技術(shù)

哈工大韓杰才院士團(tuán)隊(duì)在金剛石單晶領(lǐng)域取得重大科研突破

金剛石芯片關(guān)鍵技術(shù)獲得突破：從根本上改變金剛石的能帶結(jié)構(gòu)

快充帶動(dòng)成本下降，音頻和汽車應(yīng)用有突破——2021氮化鎵市場展望

突破：中欣晶圓 12 英寸第一枚外延片正式下線

【政策解讀】工信部：推動(dòng)基礎(chǔ)和關(guān)鍵領(lǐng)域創(chuàng)新突破提高新能源汽車產(chǎn)業(yè)集中度

第三代半導(dǎo)體材料碳化硅預(yù)計(jì)2020年全球市場規(guī)模將突破6億美元

同光晶體董事長鄭清超：月產(chǎn)碳化硅單晶襯底3000片，全年預(yù)計(jì)銷售突破2億元

“十四五”專項(xiàng)規(guī)劃后工信部再次就半導(dǎo)體重磅發(fā)聲這只行業(yè)龍頭企業(yè)將成突破口

SiC領(lǐng)域20年來的重大技術(shù)突破，京都大學(xué)將品質(zhì)提高約10倍

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物聯(lián)網(wǎng)用戶突破2億 NB-IoT規(guī)模近7000萬

海特高新：公司已突破5G宏基站的射頻氮化鎵代工工藝技術(shù)

聚焦“六新”突破，培育紫外LED產(chǎn)業(yè)生態(tài)——第二屆紫外LED長治產(chǎn)業(yè)發(fā)展峰會(huì)成功召開

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華為欲突破半導(dǎo)體，開啟瘋狂挖人模式，多家企業(yè)集體投訴！

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電子科技大學(xué)張波教授：功率芯片，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起的突破口

春藤8908A獲德電完全認(rèn)證紫光展銳NB-IoT全球布局新突破

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