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比亞迪明年有自己的SiC產(chǎn)線，車規(guī)級IGBT已到5代

日本豐田汽車公司Kimimori HAMADA：超窄體（UNB）MOSFET和接地窄而深p（GND）MOSFET的4H-SiC MOSFET的新挑戰(zhàn)性結(jié)構(gòu)

澳大利亞格里菲斯大學(xué)Jisheng HAN：4H-SiC MOS器件中活性缺陷的量化表征

日本名古屋大學(xué)宇治原徹：CFD模擬預(yù)測系統(tǒng)在SiC生長中的應(yīng)用

深圳第三代半導(dǎo)體研究院楊安麗：抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的“復(fù)合提高層”設(shè)計

華北電力大學(xué)李學(xué)寶：高壓SiC器件中的封裝絕緣問題研究

浙江大學(xué)任娜：SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性問題的研究

Cree與Tek將于12月23日聯(lián)合直播，寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件發(fā)展及在OBC應(yīng)用

Cree | Wolfspeed 功率產(chǎn)品市場與應(yīng)用高級總監(jiān)Guy Moxey：SiC技術(shù)在電動公共汽車市場應(yīng)用

廣東芯聚能總裁周曉陽：SiC功率模塊在新能源汽車中的應(yīng)用及其挑戰(zhàn)

中電化合物半導(dǎo)體唐軍：SiC基GaN射頻材料熱阻研究進展

第三代半導(dǎo)體之SiC研究：美國一家獨大

南砂晶圓彭燕：SiC單晶材料及產(chǎn)業(yè)化進展

河北半導(dǎo)體研究所周幸葉：紫外探測用高性能4H-SiC雪崩光電二極管及其陣列

深圳市禾望電氣張孟杰:SiC器件在新能源變換器中的應(yīng)用

山大華天科技遲恩先：SiC器件在有源電力濾波器中的應(yīng)用

電子科技大學(xué)劉成藝：n型4H-SiC上Ti/TiN/Pt歐姆接觸電極在空氣中高溫退火處理的失效機理研究

SiC推進電動化更上一層樓

智能功率模塊助力！加速邁向基于碳化硅（SiC）的電動汽車

寬帶隙SiC如何加速電動車創(chuàng)新？

【深度報告】第三代半導(dǎo)體 SiC：爆發(fā)式增長的明日之星

第三代半導(dǎo)體SIC行業(yè)投資機會分析：10年20倍成長

廣東甘化：蘇州鍇威特有第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品，開發(fā)的SiC功率器件已成功實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化

SiC領(lǐng)域20年來的重大技術(shù)突破，京都大學(xué)將品質(zhì)提高約10倍

特斯拉1年要用50萬片6吋SiC

Atmosic Technologies 與 SMK Electronics 攜手實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備永久續(xù)航

Cree加速打造全球最大的SiC制造工廠

Microchip推出業(yè)界唯一低電感碳化硅（SiC）功率模塊和可編程柵極驅(qū)動器工具包，助力逆變器設(shè)計人員

科銳推進建造全球最大SiC器件制造工廠和擴大SiC產(chǎn)能

減少開關(guān)損耗：儒卓力提供來自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

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