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《異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測(cè)試白光干涉法》CSA團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)第一次討論會(huì)召開

專家學(xué)者齊聚探究第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)的進(jìn)展與趨勢(shì) | IFWS&SSLCHINA2024

CASA立項(xiàng)“半導(dǎo)體材料紫外光電子能譜測(cè)試方法”等2項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

CASA立項(xiàng)“氮化鋁晶片位錯(cuò)密度檢測(cè)方法腐蝕坑密度測(cè)量法”等2項(xiàng)氮化鋁團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

【IFWS2024】第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)日程出爐

CASA立項(xiàng)GaN HEMT非鉗位感性負(fù)載開關(guān)魯棒性測(cè)試方法1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

CASA立項(xiàng)SiC MOSFET動(dòng)態(tài)/穩(wěn)態(tài)高溫工作壽命試驗(yàn)方法2項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

CASA與CSA共同立項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《面向光治療的柔性LED光源拉伸度測(cè)試方法》

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

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CASA立項(xiàng)11項(xiàng)SiC MOSFET測(cè)試類團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)被評(píng)為高質(zhì)量團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

CASA正式發(fā)布《8英寸碳化硅襯底片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸》等3項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)/山東大學(xué)牽頭起草的T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸》等3項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)征求意見

標(biāo)準(zhǔn) | 《Sub-6GHz GaN 射頻產(chǎn)品可靠性篩選和驗(yàn)收方法》等5項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

IFWS 第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)邀請(qǐng)函

標(biāo)準(zhǔn) | CASA立項(xiàng)《射頻GaN HEMT結(jié)構(gòu)的遷移率非接觸霍爾測(cè)量方法》等5項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

CASA立項(xiàng)《碳化硅少數(shù)載流子壽命測(cè)定微波光電導(dǎo)法》等2項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

深圳智芯微電子牽頭起草的《三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)已形成委員會(huì)草案

《人工光植物工廠紫外LED光照系統(tǒng) 一般技術(shù)要求》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

IFWS 2022前瞻：第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)日程出爐

CASA聯(lián)盟發(fā)布SiC MOSFET功率循環(huán)試驗(yàn)/結(jié)殼熱阻測(cè)試2項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

CASA立項(xiàng)《8英寸碳化硅晶片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)等十七部門聯(lián)合印發(fā)《關(guān)于促進(jìn)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范優(yōu)質(zhì)發(fā)展的意見》

IFWS 2021：第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)將于12月6日召開

國星光電參與兩項(xiàng)碳化硅團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)起草，SiC產(chǎn)品線進(jìn)一步擴(kuò)展

重磅！CASA發(fā)布《寬禁帶半導(dǎo)體術(shù)語》1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

車用功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)及檢測(cè)研討會(huì)于廣州南沙成功舉辦

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