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至芯半導(dǎo)體取得重大突破，推出高光效UV器件

Nature | 康奈爾大學(xué)：光電功能器件最新突破

格蘭菲申請(qǐng)功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專(zhuān)利，有利于終端區(qū)面積縮小

中國(guó)科大微電子學(xué)院在GaN功率電子器件浪涌特性研究方向取得新進(jìn)展

中科院微電子所在GaN器件研究方面取得重要進(jìn)展

漢道精密制造年產(chǎn)1.8億件半導(dǎo)體元器件項(xiàng)目開(kāi)工奠基

忱芯科技申請(qǐng)?zhí)蓟韫β拾雽?dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)板和測(cè)試方法專(zhuān)利

【南昌光電博覽會(huì)】聚焦半導(dǎo)體光電裝備、材料、器件及工藝發(fā)展

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件制備方法相關(guān)專(zhuān)利，避免出現(xiàn)第一氧化層過(guò)薄

元器件采購(gòu)商不想被坑？認(rèn)準(zhǔn)這一招！

中國(guó)科大在仿生光電神經(jīng)感知器件領(lǐng)域取得新突破

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專(zhuān)利，提高了柵極可靠性

2024南昌光電博覽會(huì)前瞻：半導(dǎo)體光電裝備、材料、器件及工藝

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專(zhuān)利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

羅姆與聯(lián)合汽車(chē)電子簽署SiC功率元器件長(zhǎng)期供貨協(xié)議

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)一種改善雙極退化的碳化硅 MOSFET 器件及制備方法的專(zhuān)利

華羿微電取得一種寬 SOA 屏蔽柵 MOSFET 器件及制備方法專(zhuān)利，提升器件整體的 SOA

美國(guó)ITC對(duì)特定半導(dǎo)體器件及其下游產(chǎn)品啟動(dòng)337調(diào)查

總投資50億，半導(dǎo)體激光雷達(dá)及傳感器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目開(kāi)工！

日本航空電子高端電子元器件項(xiàng)目簽約無(wú)錫

河北博威集成電路取得集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制備方法專(zhuān)利

積塔半導(dǎo)體“基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件及其制備方法”專(zhuān)利公布

欣代半導(dǎo)體器件東寶智造產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目簽約

捷捷微電取得降低開(kāi)關(guān)損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法專(zhuān)利，降低了開(kāi)關(guān)損耗

粵芯半導(dǎo)體“一種半導(dǎo)體器件中的互連金屬的沉積方法”專(zhuān)利獲授權(quán)

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華羿微電“新型功率MOSFET器件及其制備方法”專(zhuān)利獲授權(quán)

華羿微電“一種低柵極電荷屏蔽柵MOSFET器件及其制作方法”專(zhuān)利獲授權(quán)

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