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西電在邏輯運算器件領(lǐng)域取得重要突破

華羿微電申請高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

芯聯(lián)集成“溝槽型功率器件結(jié)構(gòu)及其制造方法”專利公布

長飛先進與懷柔實驗室簽署碳化硅功率器件成果合作轉(zhuǎn)化意向協(xié)議

中晶科技:已在國內(nèi)分立器件用單晶硅棒、研磨硅片以及半導(dǎo)體功率芯片及器件領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先的市場地位

華潤微：重慶12吋產(chǎn)線聚焦功率器件預(yù)計下半年可實現(xiàn)滿產(chǎn)

英飛凌144億工廠落成，8英寸碳化硅器件年底量產(chǎn)

派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”專利獲授權(quán)

總投資超4億元，百事聯(lián)電子元器件產(chǎn)品建設(shè)項目在廈門海滄開工

總投資90億元，萊寶高科湖州微腔電子紙顯示器件項目開工

芯聯(lián)集成“半導(dǎo)體器件的制備方法及半導(dǎo)體器件”專利獲授權(quán)

致元器件采購商們的一封信

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所在氮化物位錯演化機制及光電神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)器件研究領(lǐng)域取得新進展

北科大與新紫光共同開展二維半導(dǎo)體材料與器件產(chǎn)學(xué)研合作

高可靠性高功率半導(dǎo)體器件IDM項目在宜興簽約總投資約30億元

總投資約30億！宜興又簽約一項功率半導(dǎo)體器件項目

北京大學(xué)在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進展

英諾賽科“含有硅摻雜氮化鋁層的半導(dǎo)體器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

中芯集成-U 申請 MEMS 器件及其制備方法專利，避免大量自由電荷堆積在振膜中

CASAS SiC功率器件與模塊工作組第二次會議成功召開

芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

清純半導(dǎo)體“半導(dǎo)體功率器件及其制備方法”專利公布

芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

三安半導(dǎo)體“氮化鎵功率器件的制備方法、氮化鎵功率器件”專利公布

中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）項目樁基建設(shè)啟動總投資52.9億元

北一半導(dǎo)體功率器件項目在江蘇鹽城開工總投資10億元

內(nèi)江高新區(qū)智能綠色電子元器件生產(chǎn)項目建成投產(chǎn)

粵桂半導(dǎo)體器件智能產(chǎn)業(yè)園項目實現(xiàn)竣工

總投資10億元，北一半導(dǎo)體功率器件項目在江蘇鹽城開工

年產(chǎn)60萬片！傲威半導(dǎo)體車規(guī)級功率半導(dǎo)體器件項目開工

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