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成都士蘭半導體申請半導體外延結構及其制備方法專利,
降低
外延自摻雜效應
評論 ?
2024-12-27 15:49
廣州華瑞升陽申請寬禁帶半導體器件專利,
降低
寬禁帶半導體器件導通損耗和柵介質層擊穿風險
評論 ?
2024-12-26 09:56
廣東中圖半導體申請高一致性圖形化襯底制備方法專利,解決圖形化襯底均一性
降低
問題
評論 ?
2024-12-23 15:14
森國科申請 MOSFET 結構相關專利,
降低
飽和電流
評論 ?
2024-12-19 17:10
上海積塔半導體申請?zhí)蓟杈w管結構及其制備方法專利,有效
降低
器件VFSD
評論 ?
2024-12-19 14:48
蘇州高視半導體申請基于晶圓檢測系統(tǒng)的晶圓檢測方法專利,
降低
晶圓缺陷的檢測成本
評論 ?
2024-10-28 17:43
揚杰科技申請一種多導電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專利,
降低
平面柵垂直導電 MOSFET 導通電阻
評論 ?
2024-09-19 17:07
瀚天天成“一種
降低
碳化硅外延片生長缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權
評論 ?
2024-08-29 16:08
捷捷微電取得
降低
開關損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法專利,
降低
了開關損耗
評論 ?
2024-08-15 16:08
華羿微電申請高性能 MOSFET 功率器件外延設計結構專利,
降低
功率器件制造成本
評論 ?
2024-08-05 17:20
極紫外光刻新技術問世 能大幅提高能源效率并
降低
半導體制造成本
評論 ?
2024-08-02 08:56
揚杰科技申請
降低
柵極電容的 SiCMOSFET 及制備方法專利,
降低
SiCMOSFET 柵極電容
評論 ?
2024-07-18 16:20
北京大學申請多溝道GaN基HEMT專利,
降低
導通電阻進而
降低
損耗
評論 ?
2024-06-03 16:44
技術進展|突破性研究:GaN-on-Diamond鍵合界面熱阻顯著
降低
評論 ?
2024-05-06 13:57
北京大學申請多溝道GaN基HEMT專利,
降低
導通電阻進而
降低
損耗
評論 ?
2024-04-30 16:27
華為公司申請半導體器件及其制備方法專利,
降低
半導體器件的功率損耗
評論 ?
2024-03-22 17:30
日本初創(chuàng)公司開發(fā)功率半導體生產新材料 成本
降低
75%
評論 ?
2024-03-06 13:19
海信家電申請半導體裝置專利,
降低
半導體裝置的生產成本
評論 ?
2024-03-05 15:55
北京大學申請?zhí)蓟杵矫鏂臡OSFET器件及其制備方法專利,能夠
降低
器件的溝道電阻
評論 ?
2024-02-06 14:15
日企新技術可將氮化鎵成本
降低
9成 市場應用空間望打開
評論 ?
2023-09-06 11:11
【CASICON 2023】湖南大學半導體學院(集成電路學院)李陽鋒:原位AlGaN插入層
降低
InGaN LED漏電流
評論 ?
2023-05-09 11:18
外媒:日本電裝開發(fā)出新型功率半導體 可將能量損失
降低
20%
評論 ?
2022-07-27 11:42
英飛凌CoolSiC?功率模塊可將有軌電車的能耗
降低
10%
評論 ?
2022-03-11 11:19
韓國推功率半導體支援計劃 將生產和設備的成本
降低
50%-60%
評論 ?
2021-08-18 13:37
英飛凌:SiC、GaN功率元件5年內成本將逐步
降低
評論 ?
2021-08-09 16:35
IME 發(fā)布 4 層半導體層 3D 堆疊技術,可提升效能
降低
成本
評論 ?
2021-07-21 10:27
華為公開激光器芯片相關專利,可
降低
激光器的頻率啁啾,增大信號傳輸距離
華為
激光器芯片
專利
激光器
頻率
啁啾
評論 ?
2021-07-07 10:20
富滿電子:12寸的工藝會更先進 成本可
降低
15%-20%
評論 ?
2021-06-25 09:34
降低
對日本依賴!三星SDI已開始開發(fā)半導體光刻膠
評論 ?
2021-06-22 13:46
日本東芝開發(fā)的功率半導體,最大可
降低
40.5%的功率損耗
評論 ?
2021-06-04 16:47
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