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豪緯集團(tuán)申請(qǐng)一種基于微納陣列結(jié)構(gòu) GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結(jié)構(gòu)中有源層的發(fā)光效率

CASA立項(xiàng)GaN HEMT非鉗位感性負(fù)載開關(guān)魯棒性測試方法1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

又一 GaN 企業(yè)宣告破產(chǎn)！

德高化成第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開工

標(biāo)準(zhǔn) | 2項(xiàng)GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體市場2034年將增至110.8億美元

萬年晶GaN項(xiàng)目已投產(chǎn)

西安電子科技大學(xué)GaN-on-Si/SOI外延片采購公開招標(biāo)公告二次

北京大學(xué)在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進(jìn)展

聞泰科技：已實(shí)現(xiàn)GaN產(chǎn)品D-M系列產(chǎn)品銷售和SiC整流管的工業(yè)消費(fèi)級(jí)量產(chǎn)

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CASICON晶體大會(huì)前瞻|才道精密儀器馬觀嵐：SiC/GaN襯底和外延片檢測設(shè)備國產(chǎn)化

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GaNational：GaN功率器件引領(lǐng)革新風(fēng)潮

科技成果推介｜增強(qiáng)型GaN電力電子器件

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CASICON晶體大會(huì)前瞻 |廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：界面缺陷效應(yīng)對(duì) GaN功率電子器件的影響研究

Power Integrations收購GaN開發(fā)商Odyssey半導(dǎo)體資產(chǎn)

國博電子：公司GaN射頻模塊主要應(yīng)用于4G、5G基站設(shè)備中，積極布局6G移動(dòng)通信應(yīng)用

技術(shù)進(jìn)展|突破性研究：GaN-on-Diamond鍵合界面熱阻顯著降低

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《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目動(dòng)工，將新建6英寸GaN外延片產(chǎn)線

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CSPSD 2024成都前瞻|湖南三安半導(dǎo)體劉成：應(yīng)用于工業(yè)及汽車市場的GaN功率器件制造技術(shù)

國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“單片集成GaN基可調(diào)控Micro-LED發(fā)光器件研究”項(xiàng)目啟動(dòng)

CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

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