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加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東：
GaN
功率晶體管和功率模塊的智能柵極驅(qū)動(dòng)器
評(píng)論 ?
2021-12-13 11:51
西交利物浦大學(xué)王惟生：使用E/D模式Al
GaN
/
GaN
的單片比較器用于高溫應(yīng)用的MIS-HEMT
評(píng)論 ?
2021-12-13 11:47
南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院汪青：
GaN
器件及其系統(tǒng)的最新研究進(jìn)展
評(píng)論 ?
2021-12-13 11:41
深圳大學(xué)微電子研究院劉新科：2寸獨(dú)立晶圓上1.7 kV垂直
GaN
-on-
GaN
肖特基勢(shì)壘二極管
評(píng)論 ?
2021-12-13 11:39
電子科技大學(xué)李曦：
GaN
HEMT功率器件的熱瞬態(tài)測(cè)試方法與機(jī)理研究
評(píng)論 ?
2021-12-13 11:29
西安電子科技大學(xué)寧?kù)o：基于維度調(diào)控的
GaN
紫外LED及光電集成
評(píng)論 ?
2021-12-11 16:04
中山大學(xué)江灝：利用界面效應(yīng)的高Al組分Al
GaN
的高效p型摻雜及其深紫外光電探測(cè)應(yīng)用
評(píng)論 ?
2021-12-11 16:01
鄭州大學(xué)Mussaab I. Niass：藍(lán)寶石襯底上B
GaN
基深紫外邊發(fā)射激光二極管的仿真研究
評(píng)論 ?
2021-12-10 17:04
挪威科學(xué)院院士Helge WEMAN：使用石墨烯作為透明導(dǎo)電襯底的Al
GaN
納米線UV LED
評(píng)論 ?
2021-12-10 15:38
鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz Sharif：銦摩爾分?jǐn)?shù)對(duì)In
GaN
基近紫外發(fā)光二極管光學(xué)性能的影響
評(píng)論 ?
2021-12-10 15:35
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)乘風(fēng)破浪，誰(shuí)將會(huì)傲立潮頭？
第三代半導(dǎo)體
氮化鎵
碳化硅
GaN
襯底
Micro-LED
COB
Mini
COB
評(píng)論 ?
2021-11-30 21:05
功率半導(dǎo)體：新能源需求引領(lǐng)，行業(yè)快速發(fā)展
SiC
GaN
第三代半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體
評(píng)論 ?
2021-11-26 12:05
國(guó)星光電：公司Micro LED芯片實(shí)現(xiàn)小批量供貨 已開(kāi)展
GaN
功率器件研發(fā)工作
評(píng)論 ?
2021-11-25 16:13
IFWS 2021前瞻：中科院半導(dǎo)體研究所副所長(zhǎng)張韻將出席射頻電子器件與應(yīng)用論壇
中科院
半導(dǎo)體研究所
副所長(zhǎng)
張韻
亞毫米波段
GaN基
HEMT
評(píng)論 ?
2021-11-22 15:53
蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)在硅襯底
GaN
基縱向功率器件方面取得新進(jìn)展
評(píng)論 ?
2021-11-05 17:25
聞泰科技：安世半導(dǎo)體推出領(lǐng)先性能的氮化鎵功率器件 (
GaN
FET)
評(píng)論 ?
2021-11-05 17:24
GaN
快充將于2025年占領(lǐng)一半市場(chǎng)
評(píng)論 ?
2021-11-04 14:28
晶湛半導(dǎo)體8寸
GaN
項(xiàng)目開(kāi)建
評(píng)論 ?
2021-11-03 15:42
第三代半導(dǎo)體為什么這樣火？4 張圖秒懂
GaN
、SiC 關(guān)鍵技術(shù)
評(píng)論 ?
2021-10-29 19:38
西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)成功突破柔性高性能
GaN
半導(dǎo)體外延材料與器件制備技術(shù)
評(píng)論 ?
2021-10-29 11:57
預(yù)估2025年
GaN
于快充市場(chǎng)滲透率將達(dá)到52％
評(píng)論 ?
2021-10-26 17:04
千呼萬(wàn)喚始出來(lái)的蘋果
GaN
快充，拉開(kāi)下一個(gè)
GaN
爆點(diǎn)的序幕
評(píng)論 ?
2021-10-21 13:44
華微電子：公司正在積極布局以SiC和
GaN
為代表的第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)
評(píng)論 ?
2021-10-20 15:58
蘋果上架首款
GaN
充電器，售價(jià)729元
評(píng)論 ?
2021-10-20 15:11
英諾賽科鄒艷波：All-
GaN
系列方案在快充領(lǐng)域的應(yīng)用
評(píng)論 ?
2021-10-11 15:29
【CASICON 2021】蘇州能訊高能半導(dǎo)體Amagad Ali Hasan：基于物理的5G射頻
GaN
晶體管模型、趨勢(shì)和挑戰(zhàn)
評(píng)論 ?
2021-09-18 17:55
【CASICON 2021】南京大學(xué)徐尉宗：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的
GaN
HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)
評(píng)論 ?
2021-09-18 14:00
【CASICON 2021】蘇州晶湛半導(dǎo)體向鵬：用于新型
GaN
功率器件的外延技術(shù)進(jìn)展
評(píng)論 ?
2021-09-17 16:39
【CASICON 2021】南京郵電大學(xué)張珺：基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的Al
GaN
/
GaN
HEMT反向特性表征技術(shù)
評(píng)論 ?
2021-09-16 14:54
【CASICON 2021】美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊:SiC MOSFET和
GaN
HEMT在過(guò)壓開(kāi)關(guān)中的魯棒性
評(píng)論 ?
2021-09-16 11:56
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