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中芯國際“電容器結(jié)構(gòu)及其形成方法”專利公布

三星取得半導(dǎo)體封裝件新專利，具有嵌入芯片的再布線層

北京大學(xué)申請?zhí)蓟杵矫鏂臡OSFET器件及其制備方法專利，能夠降低器件的溝道電阻

中國西電獲得發(fā)明專利授權(quán)：“基于大容量電力電子開關(guān)施加故障電流裝置及試驗(yàn)方法”

長電科技申請光電芯片互聯(lián)封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法專利

致力打破功率半導(dǎo)體 “卡脖子”封鎖吉林華微電子獲授權(quán)專利32 項(xiàng)

盛美上海申請預(yù)濕腔內(nèi)外氣壓平衡控制裝置及方法專利

華為公司申請功率器件專利，提高半導(dǎo)體器件的可靠性

北京大學(xué)申請高動態(tài)穩(wěn)定性GaN器件專利，提高GaN HEMT的動態(tài)穩(wěn)定性

陽光電源申請功率半導(dǎo)體保護(hù)專利，能為功率半導(dǎo)體模塊提供更快速及時的保護(hù)

比亞迪半導(dǎo)體申請半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)、制備方法及半導(dǎo)體器件專利

中芯集成-U取得半導(dǎo)體器件專利，可更為精確控制電極材料層消耗量

臺積電取得清潔半導(dǎo)體襯底的方法專利

北京大學(xué)申請半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)專利

北京大學(xué)申請GaN與碳納米管CMOS電路專利

中科院半導(dǎo)體研究所公開一項(xiàng)集成光子芯片專利可提升光模塊性能

通用電氣申請超結(jié)功率半導(dǎo)體裝置專利，減少切換損耗

北方華創(chuàng)“一種半導(dǎo)體設(shè)備及其晶圓傳輸腔室和晶圓傳輸方法”專利獲授權(quán)

工信部：我國5G標(biāo)準(zhǔn)必要專利聲明量全球占比達(dá)42%

基本半導(dǎo)體“功率模塊”專利獲授權(quán)

長鑫存儲“一種控制方法、半導(dǎo)體存儲器和電子設(shè)備”專利公布

中芯國際新專利已獲授權(quán)！

華為公布倒裝芯片封裝最新專利！

華為公布“芯片堆疊結(jié)構(gòu)及其形成方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備”專利

TCL華星與SEL簽署專利許可協(xié)議，結(jié)束全球訴訟

比亞迪半導(dǎo)體公布“芯片及其數(shù)據(jù)存儲方法”專利

“一種低操作電壓高一致性憶阻器及其制備方法”發(fā)明專利發(fā)布

大族智控再次獲得美國發(fā)明專利授權(quán)

中芯國際“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法”專利獲授權(quán)

國星光電喜獲中國專利金獎

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