亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<input id="qmuqf"></input>

<u id="qmuqf"></u>

<noscript id="qmuqf"></noscript>

<u id="qmuqf"></u>

<u id="qmuqf"><li id="qmuqf"><table id="qmuqf"></table></li></u>

<u id="qmuqf"></u>

<nav id="2yq4g"></nav>

<abbr id="2yq4g"></abbr><table id="2yq4g"><tbody id="2yq4g"></tbody></table>

<center id="2yq4g"></center>

<abbr id="2yq4g"><dd id="2yq4g"></dd></abbr>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

格蘭菲申請(qǐng)功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有利于終端區(qū)面積縮小

臻驅(qū)半導(dǎo)體施工總承包項(xiàng)目廠房主體結(jié)構(gòu)順利封頂

提前4個(gè)月！“芯廬州”集成電路產(chǎn)業(yè)園（一期）項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)全面封頂

上海壁仞科技取得封裝結(jié)構(gòu)專利，提高散熱性能

晶合集成申請(qǐng)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法及動(dòng)態(tài)調(diào)整系統(tǒng)專利，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的良率

威邁芯材年產(chǎn)100噸半導(dǎo)體高端光刻材料項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)全面封頂

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，避免因相鄰膜層刻蝕選擇比過大形成底切結(jié)構(gòu)

三責(zé)新材二期半導(dǎo)體設(shè)備用高精度結(jié)構(gòu)陶瓷產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目廠房封頂

士蘭微“功率封裝結(jié)構(gòu)及其引線框”專利獲授權(quán)

盛合晶微半導(dǎo)體（江陰）申請(qǐng) 3D 垂直互連封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，實(shí)現(xiàn)高密度封裝

中圖科技申請(qǐng)一種高深度微結(jié)構(gòu)圖形化半導(dǎo)體襯底及其制備方法專利

蘇州晶湛半導(dǎo)體取得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導(dǎo)體外延層的性能

利普思半導(dǎo)體“一種功率模塊結(jié)構(gòu)”專利公布

豪緯集團(tuán)申請(qǐng)一種基于微納陣列結(jié)構(gòu) GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結(jié)構(gòu)中有源層的發(fā)光效率

揚(yáng)州晶圓級(jí)芯粒先進(jìn)封裝基地項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)封頂

華羿微電申請(qǐng)高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

芯聯(lián)集成“溝槽型功率器件結(jié)構(gòu)及其制造方法”專利公布

年產(chǎn)18億片！晶引電子項(xiàng)目一期完成主體結(jié)構(gòu)驗(yàn)收

總投資1.5億元，諾天科技碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備與基材生產(chǎn)基地項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)封頂

北京大學(xué)申請(qǐng)金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法專利，能夠得到高質(zhì)量且低熱阻的金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)

長光華芯申請(qǐng)高功率半導(dǎo)體激光芯片性能評(píng)估及結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法專利，有效提高評(píng)估結(jié)果準(zhǔn)確度

光來精密電子項(xiàng)目月底前主體結(jié)構(gòu)就可實(shí)現(xiàn)全部封頂

“芯廬州”集成電路產(chǎn)業(yè)園一期項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)封頂

拓荊科技半導(dǎo)體先進(jìn)工藝裝備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目結(jié)構(gòu)封頂

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)魏杰：高速低損耗SOI LIGBT新結(jié)構(gòu)與機(jī)理研究

CSPSD 2024成都前瞻|成都信息工程大學(xué)羅小蓉：《氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用

北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

捷捷微電子“一種帶有超結(jié)結(jié)構(gòu)的屏蔽柵IGBT”專利公布

宏微科技取得電動(dòng)汽車用IGBT或MOSFET版圖結(jié)構(gòu)專利，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大減小

第2頁/共5頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<abbr id="quay2"><dd id="quay2"></dd></abbr>

<table id="quay2"><xmp id="quay2"></xmp></table>