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【CASICON 2021】北京大學(xué)楊學(xué)林：Si襯底上GaN基電子材料外延生長(zhǎng)技術(shù)研究進(jìn)展

【CASICON 2021】西交利物浦大學(xué)劉雯：硅基GaN MIS-HEMT單片集成技術(shù)

【CASICON 2021】青島聚能創(chuàng)芯劉海豐：面向快充應(yīng)用的GaN材料和器件技術(shù)

【CASICON 2021】南京大學(xué)陳鵬：低開啟/超高壓GaN肖特基功率器件研究新進(jìn)展

【CASICON 2021】中科院上海微系統(tǒng)研究所鄭理：SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)

聞泰科技：加強(qiáng)在中高壓Mosfet、化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品SiC和GaN產(chǎn)品、以及模擬類產(chǎn)品的研發(fā)投入

【CASICON 2021】美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊：超過SiC限制的 1.2-10 kV GaN功率器件

【CASICON 2021】Crosslight創(chuàng)始人李湛明：將GaN功率器件推向極限——材料和TCAD視角

【CASICON 2021】中國(guó)電科首席科學(xué)家陳堂勝：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件

【CASICON 2021】南京工業(yè)職業(yè)技術(shù)大學(xué)雷建明：GaN功率開關(guān)器件及其高頻電源應(yīng)用

GaN功率器件未來5-6年的發(fā)展趨勢(shì)

CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)

國(guó)產(chǎn)SiC & GaN功率器件已達(dá)國(guó)際一流水平，組建歐洲銷售團(tuán)隊(duì)“出海"

CASICON 2021前瞻：將GaN功率器件推向極限——材料和TCAD視角

聚能創(chuàng)芯/聚能晶源總經(jīng)理袁理將出席2021中國(guó)（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)

CASICON 2021前瞻：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院陳鵬教授將出席南京功率與射頻半導(dǎo)體應(yīng)用峰會(huì)

中科院上海微系統(tǒng)所程新紅研究員將出席南京功率與射頻應(yīng)用峰會(huì)，將帶來“SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)進(jìn)展”

國(guó)星光電：公司近期推出的第三代半導(dǎo)體新品GaN-DFN器件可應(yīng)用于新能源汽車充電、手機(jī)快充等

北京航天微電芯片孵化產(chǎn)業(yè)園開工，將建GaN/GaAs射頻芯片研制線

氣派科技：公司開發(fā)出了國(guó)內(nèi)首款5G MIMO基站GaN微波射頻功放塑封封裝產(chǎn)品

賽微電子：已推出數(shù)款GaN功率芯片產(chǎn)品并進(jìn)入小批量生產(chǎn)

快充僅是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用“磨刀石”，落地這一領(lǐng)域可每年省電40億度

Si基GaN 射頻器件研究進(jìn)展

瀚鎵半導(dǎo)體將在浦東建設(shè)4英寸GaN中試線

英飛凌：SiC、GaN功率元件5年內(nèi)成本將逐步降低

華微電子：公司正在積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)

GaN電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應(yīng)商Transphorm收購(gòu)AFSW晶圓廠100%權(quán)益

華為入局氮化鎵快充市場(chǎng)，2021或迎GaN快充爆發(fā)期？

納米多孔GaN+QD制作MicroLED

禹創(chuàng)半導(dǎo)體完成超億元A+輪融資，未來繼續(xù)攻關(guān)第三代GaN等產(chǎn)品研發(fā)

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