亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<input id="qmuqf"></input>

<u id="qmuqf"></u>

<noscript id="qmuqf"></noscript>

<u id="qmuqf"></u>

<u id="qmuqf"><li id="qmuqf"><table id="qmuqf"></table></li></u>

<u id="qmuqf"></u>

推薦企業(yè)動態(tài)地方動態(tài)政策規(guī)劃招標采購會議展覽項目動態(tài)融資動態(tài)

晶體材料及元器件廠商飛銳特完成數(shù)千萬元A輪融資

華海清科自主研發(fā)清洗裝備已批量用于晶圓再生生產(chǎn)

士蘭微“用于LLC諧振變換器的恒流控制電路及恒流控制方法”專利獲授權

捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結構及制備方法”專利公布

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

天域半導體向港交所遞交上市申請

華為申請?zhí)蓟枰r底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應力分布均勻

鄭州勢壘取得用于金剛石生長的 MPCVD 裝置專利，能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境

廣東中圖半導體申請高一致性圖形化襯底制備方法專利，解決圖形化襯底均一性降低問題

萬國半導體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

東方晶源榮獲2025 IC風云榜“年度領軍企業(yè)獎”

上海瑞華晟申請SiC/SiC復合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長加熱爐專利，解決氮化鎵采取和附著問題，提高產(chǎn)量

蘇州立琻半導體申請p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

用AI鏈接芯世界，此芯科技2024生態(tài)大會完美收官

環(huán)球晶圓獲芯片法案4.06億美元補貼，將建設美國首座大批量300毫米硅晶圓工廠

上海積塔半導體申請檢測晶圓位置的專利，能夠確保后續(xù)晶圓環(huán)切等工藝順利進行

浙江睿熙申請 VCSEL 集成晶圓及其制造方法專利，實現(xiàn)晶圓級別集成

森國科申請 MOSFET 結構相關專利，降低飽和電流

長飛先進武漢碳化硅基地設備進場

上海燁映微電子申請 GaN 晶體管與柵極驅(qū)動器合封專利，實現(xiàn)高頻能力

中科飛測第1000臺集成電路質(zhì)量控制設備出機

杭州芯邁半導體技術申請一種功率開關器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請 N 面增強型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

揚杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海積塔半導體申請?zhí)蓟杈w管結構及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

中微公司宣布成功從美國國防部中國軍事企業(yè)清單中移除

博世獲16億元補貼，將投138億元發(fā)力8英寸SiC芯片！

一汽吉林被曝停產(chǎn)數(shù)月 8月起未發(fā)放工資

美國國防部已將中微公司及IDG資本移出制裁清單

«上一頁 1 2 … 3 4 5 6 7 … 125 126 下一頁» 共3752條/126頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部