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成都士蘭半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其制備方法專(zhuān)利，降低外延自摻雜效應(yīng)

廣州華瑞升陽(yáng)申請(qǐng)寬禁帶半導(dǎo)體器件專(zhuān)利，降低寬禁帶半導(dǎo)體器件導(dǎo)通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風(fēng)險(xiǎn)

廣東中圖半導(dǎo)體申請(qǐng)高一致性圖形化襯底制備方法專(zhuān)利，解決圖形化襯底均一性降低問(wèn)題

森國(guó)科申請(qǐng) MOSFET 結(jié)構(gòu)相關(guān)專(zhuān)利，降低飽和電流

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專(zhuān)利，有效降低器件VFSD

蘇州高視半導(dǎo)體申請(qǐng)基于晶圓檢測(cè)系統(tǒng)的晶圓檢測(cè)方法專(zhuān)利，降低晶圓缺陷的檢測(cè)成本

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)一種多導(dǎo)電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專(zhuān)利，降低平面柵垂直導(dǎo)電 MOSFET 導(dǎo)通電阻

瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長(zhǎng)缺陷的方法及碳化硅襯底”專(zhuān)利獲授權(quán)

捷捷微電取得降低開(kāi)關(guān)損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法專(zhuān)利，降低了開(kāi)關(guān)損耗

華羿微電申請(qǐng)高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)專(zhuān)利，降低功率器件制造成本

極紫外光刻新技術(shù)問(wèn)世能大幅提高能源效率并降低半導(dǎo)體制造成本

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)降低柵極電容的 SiCMOSFET 及制備方法專(zhuān)利，降低 SiCMOSFET 柵極電容

北京大學(xué)申請(qǐng)多溝道GaN基HEMT專(zhuān)利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

技術(shù)進(jìn)展|突破性研究：GaN-on-Diamond鍵合界面熱阻顯著降低

北京大學(xué)申請(qǐng)多溝道GaN基HEMT專(zhuān)利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

華為公司申請(qǐng)半導(dǎo)體器件及其制備方法專(zhuān)利，降低半導(dǎo)體器件的功率損耗

日本初創(chuàng)公司開(kāi)發(fā)功率半導(dǎo)體生產(chǎn)新材料成本降低75%

海信家電申請(qǐng)半導(dǎo)體裝置專(zhuān)利，降低半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)成本

北京大學(xué)申請(qǐng)?zhí)蓟杵矫鏂臡OSFET器件及其制備方法專(zhuān)利，能夠降低器件的溝道電阻

日企新技術(shù)可將氮化鎵成本降低9成市場(chǎng)應(yīng)用空間望打開(kāi)

【CASICON 2023】湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院（集成電路學(xué)院）李陽(yáng)鋒：原位AlGaN插入層降低InGaN LED漏電流

外媒：日本電裝開(kāi)發(fā)出新型功率半導(dǎo)體可將能量損失降低20%

英飛凌CoolSiC?功率模塊可將有軌電車(chē)的能耗降低10%

韓國(guó)推功率半導(dǎo)體支援計(jì)劃將生產(chǎn)和設(shè)備的成本降低50%-60%

英飛凌：SiC、GaN功率元件5年內(nèi)成本將逐步降低

IME 發(fā)布 4 層半導(dǎo)體層 3D 堆疊技術(shù)，可提升效能降低成本

華為公開(kāi)激光器芯片相關(guān)專(zhuān)利，可降低激光器的頻率啁啾，增大信號(hào)傳輸距離

富滿(mǎn)電子：12寸的工藝會(huì)更先進(jìn) 成本可降低15%-20%

降低對(duì)日本依賴(lài)！三星SDI已開(kāi)始開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體光刻膠

日本東芝開(kāi)發(fā)的功率半導(dǎo)體，最大可降低40.5%的功率損耗

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