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2027年全球GaN半導(dǎo)體器件市場規(guī)模預(yù)計或?qū)⑦_408億元

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第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN 的研究現(xiàn)狀

第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）或引發(fā)充電革命？

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