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北京航天賽德申請氮化鎵襯底拋光液專利，極大提升氮化鎵襯底表面特性

成都士蘭半導體申請半導體外延結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低外延自摻雜效應(yīng)

深圳晶源申請光刻膠模型優(yōu)化方法專利，能夠解決模型中存在的過擬合現(xiàn)象和一致性不佳的技術(shù)問題

河北同光半導體申請具有 p/n 結(jié)結(jié)構(gòu)的碳化硅單晶柔性膜專利，實現(xiàn)碳化硅薄膜高效剝離且無損傷

上海天岳申請一種三維方向應(yīng)力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體專利，提高SiC襯底質(zhì)量

安徽格恩半導體申請GaN基化合物半導體激光元件專利，提升光束質(zhì)量因子

廣州華瑞升陽申請寬禁帶半導體器件專利，降低寬禁帶半導體器件導通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風險

奔馳車標制造商申請破產(chǎn) 歐洲汽車產(chǎn)業(yè)危機蔓延

納維達斯半導體申請 GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

天域半導體向港交所遞交上市申請

華為申請碳化硅襯底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻

廣東中圖半導體申請高一致性圖形化襯底制備方法專利，解決圖形化襯底均一性降低問題

萬國半導體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

上海瑞華晟申請SiC/SiC復(fù)合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

浙之芯申請一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

蘇州立琻半導體申請p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

上海積塔半導體申請檢測晶圓位置的專利，能夠確保后續(xù)晶圓環(huán)切等工藝順利進行

浙江睿熙申請 VCSEL 集成晶圓及其制造方法專利，實現(xiàn)晶圓級別集成

森國科申請 MOSFET 結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，降低飽和電流

上海燁映微電子申請 GaN 晶體管與柵極驅(qū)動器合封專利，實現(xiàn)高頻能力

杭州芯邁半導體技術(shù)申請一種功率開關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請 N 面增強型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

揚杰電子申請提高反向續(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海積塔半導體申請碳化硅晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

華虹半導體申請集成半導體器件及其制備方法專利，提高芯片整體抗EMI能力

湖南三安半導體申請功率器件專利，可提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力

昕感科技申請一種終端復(fù)合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯率

聯(lián)華電子申請半導體結(jié)構(gòu)以及其形成方法專利，具有特定的結(jié)構(gòu)和元件排列

南京南瑞半導體申請溝槽型SiC器件及其制備方法專利，可防止器件過早擊穿燒毀

安徽長飛先進半導體申請半導體器件相關(guān)專利，使半導體器件獲得更好的散熱結(jié)構(gòu)以及更低的電阻率

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